碳化硅功率半导体在光伏、充电、电动汽车等行业得到了广泛应用，其潜力毋庸置疑。然而，从当前高功率碳化硅MOSFET来看，仍存在一个难题：即如何实现平衡性能、鲁棒性、可靠性和易用性的设计。比导通电阻是衡量SiC MOSFET技术先进性的关键参数，但其它标准，例如可靠性，也是制约器件表现的重要因素。对于不同的应用，导通电阻与可靠性之间的折衷也略有差异。因此，合理的器件定义应当保证设计灵活性，以满足不同的任务需求，无需大量设计工作和设计布局变化。英飞凌CoolSiC™故障率比IGBT更低谈到可靠性，人们往往会认为
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英飞凌 MOSFET 栅极氧化层
在碳化硅（SiC）技术的应用中，许多工程师对SiC的性能评价存在误解，尤其是关于“单位面积导通电阻（Rsp）”和“高温漂移”的问题。作为“碳化硅何以英飞凌”的系列文章，本文将继续为您揭开这些误区的真相（误区一见：碳化硅何以英飞凌？—— 沟槽栅技术可靠性真相），并介绍英飞凌如何通过技术创新应对这些挑战。常见误区2：“SiC的性能主要看单位面积导通电阻Rsp，电阻越小，产品越好。与平面栅相比，沟槽栅SiC的电阻在高温下漂移更大，这是否会影响可靠性”01多元化的性能评价更全面Rsp并非唯一评价标准虽然Rsp越小
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英飞凌 碳化硅 MOSFET
Onsemi与FORVIA HELLA延续了长期的战略合作，正式签署了一项专注于下一代汽车动力MOSFET技术的新长期协议。该交易重点在于将Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET应用于FORVIA HELLA的先进汽车平台，反映出高效且可扩展的电力设备在车辆电气化中日益重要。这一公告具有相关意义，因为它强调了一级供应商和半导体厂商如何将功率半导体路线图与新兴汽车架构（包括分区设计和软件定义车辆）对齐。它还为设备层面的渐进式改进如何影响未来车辆平台的系统效率和成本目标提供了见解。Powe
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Onsemi FORVIA HELLA 汽车电子 MOSFET
简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。与 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在许多应用中提供额外的性能，其中包括光伏逆变器、热量存储系统、电动汽车充电、电源、电机驱动、牵引逆变器、板载充电器、DC 对 DC 转换器等。碳化硅器件必备要素 —— 立足当下布局，引领未来市场丰富的 CoolSi
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英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 功率转换
简介英飞凌OptiMOS™ 6 80 V——最新的功率MOSFET技术，通过广泛的产品组合设定了新的行业基准性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、双面散热PQFN 5x6 以及源极向下 PQFN 3.3x3.3封装。 OptiMOS™ 6 80 V 系列非常适合电信、服务器和太阳能等高频开关应用。OptiMOS™ 6 80 V 的性能改进也体现了其在电池管理系统 (BMS) 中的优势。关键特性l 与 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS™减少24%
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英飞凌 OptiMOS 6 MOSFET 电信 电池管理系统
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）近日宣布，适用于主驱逆变器控制电路、电动泵、LED前照灯等应用的车载低耐压（40V/60V）MOSFET产品阵容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封装产品。新封装产品与车载低耐压MOSFET中常见的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封装产品相比，体积可以更小，通过采用鸥翼型引脚*1，还提高了其在电路板上安装时的可靠性。另外，通过采用铜夹片键合*2技术，还能支持大电流。采用本封装的产品已于2025年11月起陆续投入量产（样品单价50
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ROHM MOSFET
Boost电源电路是一种DC-DC升压电路，能够将低电压升高到较高电压。其基本原理是利用电感储能和电容储能的方式，通过开关管的开关控制，将输入电压进行短时间内的变化，从而使输出电压得到升压。通过调整开关管的开关频率和占空比，可以控制输出电压的大小和稳定性。开关电源的主要部件包括：输入源、开关管、储能电感、控制电路、二极管、负载和输出电容。如果功率不是特别大，IC厂家会将开关管、控制电路、二极管集成到一颗电源管理芯片中，极大简化了外部电路。按照是否集成MOSFET，可以将电源IC分类为转换器、控制器。从集成
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Boost电路 工作过程 MOSFET 电源芯片
Melexis正在制造全硅RC缓冲器，用于集成在碳化硅动力模块中。目前正在向潜在客户采样，所有零件将是新零件编号“MLX91299”的变体，并以裸芯片形式交付，准备与电源模块内的MOSFET和二极管芯片进行顶部线连接。反金属化兼容烧结和焊接。该硅吸收器设计用于直流链路，最高可达1000伏直流，峰值可达1200伏，击穿额定值将超过1500伏。据公司介绍，它们“在电压超过150伏时保持恒定电容，并在10nA附近表现出泄漏电流”。“有多种R和C组合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具体生产
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全硅 RC 缓冲器 碳化硅 MOSFET 电压瞬变抑制
iDEAL Semiconductor, 是高效能功率硅的领导者，今天宣布推出其 SuperQ™ MOSFET 技术，专门设计用来解决高压（72V 及更高）电池管理系统（BMS）中关键的安全与效率权衡问题。此新平台为 BMS 放电开关的最重要安全指标——短路耐受能力（SCWC）——设定了业界基准。电动移动、无人机与专业电动工具中高压电池组的普及带来了高风险挑战：在外部短路事件中防止灾难性故障，此时电流可能激增至数千安培。放电 MOSFET 是唯一负责在这些极端条件下隔离电池组的元件。“在高能量
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iDEAL MOSFET 高压电池
Source、Drain、Gate分别对应场效应管的三极：源极S、漏极D、栅极G（里这不讲栅极GOX击穿，只针对漏极电压击穿）。一、MOSFET的击穿有哪几种？ 先讲测试条件，都是源栅衬底都是接地，然后扫描漏极电压，直至Drain端电流达到1uA。所以从器件结构上看，它的漏电通道有三条：Drain到source、Drain到Bulk、Drain到Gate。1、 Drain-》Source穿通击穿 &n
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MOS管 MOSFET 发热
内容摘要400V SiC MOSFET技术可以实现更低的开关损耗和导通损耗。简要介绍了该器件的概念和特性。在用于服务器应用的电源(PSU)中对其优势进行了研究，该电源在176V-265V交流输入和50V输出电压下可提供3.3kW的功率。该设备采用三电平飞跨电容图腾柱PFC。文中讨论了启动期间对飞跨电容充电的注意事项。PSU的尺寸为72mmx40mmx192mm，在230VAC输入电压下，PSU总峰值效率超过97.6%，功率密度大于100W/in³。简介服务器和电信应用的发展趋势是功率密度不断提高。例如，开
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英飞凌 MOSFET 服务器 人工智能
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司通过增加顶部散热（TSC）的TOLT封装及TO-247-3和TO-247-4封装扩展其CoolSiC™ 400V G2 MOSFET产品组合。此外，英飞凌还推出了三款额定电压为440V（连续）和455V（瞬态）的TOLL封装新产品。新的CoolSiC™ MOSFET具有更优的热性能、系统效率和功率密度。其专为满足高功率与计算密集型应用需求而设计，涵盖了AI服务器电源、光伏逆变器、不间断电源、D类音频放大器、电机驱动、固态断路器等领域。这款新产品可为这
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英飞凌 CoolSiC MOSFET
各行业高功耗应用的快速增长对功率电子技术提出了更高的要求，包括功率密度、效率和可靠性等。分立式功率MOSFET在这方面发挥着关键作用，而针对应用优化的设计思路为进一步提升已高度成熟的MOSFET技术带来了新的可能性。通过采用这种以具体应用场景为核心的设计理念，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出适用于工业与消费市场的OptiMOS™ 7功率MOSFET系列，进一步扩展其现有的OptiMOS™ 7汽车应用产品组合。新OptiMOS
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英飞凌 MOSFET
电动汽车充电、电池储能系统，以及商用、工程和农用车辆（CAV）等大功率应用场景，正推动市场对更高系统级功率密度与效率的需求，以满足日益提升的性能预期。同时，这些需求也带来了新的设计挑战，例如，如何在严苛环境条件下实现可靠运行、在应对瞬态过载时如何保持稳定性，以及如何优化整体系统性能。为应对这些挑战，全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4回流焊封装的CoolSiC™ MOSFET 1400V G2系列。该器件支持更高的直流母线电压，可实现更优异的热性能、
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英飞凌 MOSFET
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